公司新闻

2024年8月25日，中国科学院院士、微电子学领域权威专家郝跃院士莅临江南JN(中国)体育官方网站进行考察指导。此次访问不仅体现了郝跃院士对苏州半导体产业发展的高度关注，也为江南JN(中国)体育官方网站半导体在技术创新和产业发展上提供了新的思路与方向。

郝跃院士作为微电子学领域的领军人物，长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养，是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。他在碳化硅SiC第三代(宽禁带)及氧化镓第四代半导体功能材料和微波米波器件、半导体照明短波长光电材料与器件研究和应用、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。

在董事长丁国华先生的陪同下，郝院士实地参观考察了江南JN(中国)体育官方网站公司展厅、实验室等重要场所，深入了解了公司最新的发展情况、公司规模、研发能力以及市场应用情况。通过丁总的介绍，郝跃院士高度肯定了江南JN(中国)体育官方网站在功率半导体领域所取得的成就，并对公司的未来发展寄予厚望。

访问期间，郝跃院士与董事长丁国华进行了深入交流，共同探讨了第三代半导体材料特别是SiC(碳化硅)功率器件的技术发展、市场应用以及面临的挑战与机遇。尽管SiC功率器件在电力电子、新能源汽车、工业、高可靠等多个领域展现出巨大的应用潜力，但其在发展过程中仍面临着复杂的工艺技术、较高的成本以及封装技术的适配等问题。未来，SiC功率器件还需不断突破技术瓶颈、降低生产成本以及提升市场接受度。郝院士希望江南JN(中国)体育官方网站继续深耕细作，加强与高校、科研院所及产业链上下游企业的合作，共同推动第三代半导体技术的应用创新。

此次郝跃院士的到访为江南JN(中国)体育官方网站带来了新的发展动力和方向。在第三代半导体的发展道路上，江南JN(中国)体育官方网站将继续秉承创新精神，加大科研投入，不断突破技术难题，为推动国家半导体产业的自主可控贡献自己的力量。同时，也期待与业界同仁携手共进，共同迎接SiC功率器件更加辉煌的未来。